高パワーインコヒーレント光発生装置
- 開放特許情報番号
- L2013000659
- 開放特許情報登録日
- 2013/4/19
- 最新更新日
- 2017/5/15
基本情報
出願番号 | 特願2013-011378 |
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出願日 | 2013/1/24 |
出願人 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 | |
公開日 | 2014/8/7 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 | 高パワーインコヒーレント光発生装置 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 高パワーインコヒーレント光を発生するための装置 |
目的 | レーザと同程度の高パワーのインコヒーレント光を発生し、またコヒーレント光もインコヒーレント光も発生し得る高パワーインコヒーレント光発生装置を提供する。 |
効果 | 本発明に係る高パワーインコヒーレント光発生装置は、光ファイバジャイロ、光カプラ信号伝送装置、測長器、広帯域な分光用光源、光コヒーレンストモグラフィー技術、表面断層検査などへの利用が可能である。 |
技術概要![]() |
スーパールミネッセントダイオード(SLD)光源、半導体レーザ光源を有する高パワーインコヒーレント光発生装置であって、
半導体レーザ光源の出力側に、その出力側の内部に偏光ビームスプリッタ(PBS)を有する第1の光アイソレータを配置し、 SLD光源の出力側に第2の光アイソレータ、光ファイバを順に配置して、 前記SLD光源からのインコヒーレント光を前記光ファイバの出力端から、第1の光アイソレータ内部のPBSに↓s偏光で照射して反射させ、前記半導体レーザ光源に注入して同期させることにより、 該半導体レーザ光源からインコヒーレント光を出射させ、かつ該PBSの透過光としてインコヒーレント光を取り出すことを特徴とする高パワーインコヒーレント光発生装置。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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