高パワーインコヒーレント光発生装置

開放特許情報番号

L2013000659

開放特許情報登録日

2013/4/19

最新更新日

2017/5/15

基本情報

出願番号	特願2013-011378
出願日	2013/1/24
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2014-143320
公開日	2014/8/7
登録番号	特許第6090780号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	高パワーインコヒーレント光発生装置
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	高パワーインコヒーレント光を発生するための装置
目的	レーザと同程度の高パワーのインコヒーレント光を発生し、またコヒーレント光もインコヒーレント光も発生し得る高パワーインコヒーレント光発生装置を提供する。
効果	本発明に係る高パワーインコヒーレント光発生装置は、光ファイバジャイロ、光カプラ信号伝送装置、測長器、広帯域な分光用光源、光コヒーレンストモグラフィー技術、表面断層検査などへの利用が可能である。
技術概要	スーパールミネッセントダイオード(ＳＬＤ)光源、半導体レーザ光源を有する高パワーインコヒーレント光発生装置であって、 半導体レーザ光源の出力側に、その出力側の内部に偏光ビームスプリッタ(ＰＢＳ)を有する第１の光アイソレータを配置し、 ＳＬＤ光源の出力側に第２の光アイソレータ、光ファイバを順に配置して、 前記ＳＬＤ光源からのインコヒーレント光を前記光ファイバの出力端から、第１の光アイソレータ内部のＰＢＳに↓s偏光で照射して反射させ、前記半導体レーザ光源に注入して同期させることにより、 該半導体レーザ光源からインコヒーレント光を出射させ、かつ該ＰＢＳの透過光としてインコヒーレント光を取り出すことを特徴とする高パワーインコヒーレント光発生装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】