高パワーインコヒーレント光発生装置

開放特許情報番号
L2013000659
開放特許情報登録日
2013/4/19
最新更新日
2017/5/15

基本情報

出願番号 特願2013-011378
出願日 2013/1/24
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-143320
公開日 2014/8/7
登録番号 特許第6090780号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高パワーインコヒーレント光発生装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高パワーインコヒーレント光を発生するための装置
目的 レーザと同程度の高パワーのインコヒーレント光を発生し、またコヒーレント光もインコヒーレント光も発生し得る高パワーインコヒーレント光発生装置を提供する。
効果 本発明に係る高パワーインコヒーレント光発生装置は、光ファイバジャイロ、光カプラ信号伝送装置、測長器、広帯域な分光用光源、光コヒーレンストモグラフィー技術、表面断層検査などへの利用が可能である。
技術概要
スーパールミネッセントダイオード(SLD)光源、半導体レーザ光源を有する高パワーインコヒーレント光発生装置であって、
半導体レーザ光源の出力側に、その出力側の内部に偏光ビームスプリッタ(PBS)を有する第1の光アイソレータを配置し、
SLD光源の出力側に第2の光アイソレータ、光ファイバを順に配置して、
前記SLD光源からのインコヒーレント光を前記光ファイバの出力端から、第1の光アイソレータ内部のPBSに↓s偏光で照射して反射させ、前記半導体レーザ光源に注入して同期させることにより、
該半導体レーザ光源からインコヒーレント光を出射させ、かつ該PBSの透過光としてインコヒーレント光を取り出すことを特徴とする高パワーインコヒーレント光発生装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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