| 出願番号 |
特願2012-272775 |
| 出願日 |
2012/12/13 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2014-120531 |
| 公開日 |
2014/6/30 |
| 登録番号 |
特許第5967713号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
積層型ＬＳＩチップの絶縁膜の検査方法及び積層型ＬＳＩチップの製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
検査・検出 |
| 適用製品 |
積層型ＬＳＩチップの絶縁膜の検査方法及び積層ＬＳＩチップの製造方法 |
| 目的 |
積層型ＬＳＩチップの配線を簡素化し、なおかつ積層型ＬＳＩチップの製造プロセスにおいて早い段階で絶縁膜の不良を検出する検査方法を提供する。 |
| 効果 |
ＴＳＶ配列の対角線に配置されたビア３０を検査に用いることで、面内の特性分布を最小の検査ポイント数で把握することができる。
また、ＴＳＶビア側壁の酸化膜の分布をもたらす局所的な膜厚変動および製造毎の膜厚変動を検知することができる。 |
技術概要
 |
チップ基板４０の表面に形成された有底のビア孔４１内の表面に絶縁膜４２が形成され、ビア孔４１内に貫通電極を構成するためのビア３０が埋め込まれた状態で、ビア３０の表面とチップ基板４０の裏面に検査用のプローブＰ１、Ｐ２を接触させ、ビア３０とチップ基板４０との間に電圧を印加して、絶縁膜４２の電気的特性を測定する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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