積層型LSIチップの絶縁膜の検査方法及び積層型LSIチップの製造方法

開放特許情報番号
L2013000656
開放特許情報登録日
2013/4/19
最新更新日
2016/9/22

基本情報

出願番号 特願2012-272775
出願日 2012/12/13
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-120531
公開日 2014/6/30
登録番号 特許第5967713号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 積層型LSIチップの絶縁膜の検査方法及び積層型LSIチップの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 積層型LSIチップの絶縁膜の検査方法及び積層LSIチップの製造方法
目的 積層型LSIチップの配線を簡素化し、なおかつ積層型LSIチップの製造プロセスにおいて早い段階で絶縁膜の不良を検出する検査方法を提供する。
効果 TSV配列の対角線に配置されたビア30を検査に用いることで、面内の特性分布を最小の検査ポイント数で把握することができる。
また、TSVビア側壁の酸化膜の分布をもたらす局所的な膜厚変動および製造毎の膜厚変動を検知することができる。
技術概要
チップ基板40の表面に形成された有底のビア孔41内の表面に絶縁膜42が形成され、ビア孔41内に貫通電極を構成するためのビア30が埋め込まれた状態で、ビア30の表面とチップ基板40の裏面に検査用のプローブP1、P2を接触させ、ビア30とチップ基板40との間に電圧を印加して、絶縁膜42の電気的特性を測定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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