半導体ウエハの加工装置

開放特許情報番号
L2013000655
開放特許情報登録日
2013/4/19
最新更新日
2017/1/25

基本情報

出願番号 特願2012-271341
出願日 2012/12/12
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-113677
公開日 2014/6/26
登録番号 特許第6041301号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体ウエハの加工装置
技術分野 機械・加工、電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 半導体ウエハの加工装置
目的 電解加工を行う際、SiC硬度>砥粒硬度>SiC変性部硬度とすることにより、SiCより硬度が低く、安価な研磨砥粒により、SiC変性部硬度を効率的に切断、研磨可能とする。
効果 SiC母材表面に、この母材より硬度の低いSiC変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、SiC変性被膜より硬度が高く、かつSiCの母材より硬度の低いものにできるので、ダイヤモンド、CBN等の高価な砥粒を使用することなく、きわめて安価なアルミナ、炭化珪素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素(シリカ)、酸化ジルコニウム、酸化セリウム等により、SiC半導体ウエハの効率的な研磨、切断を行うことが可能となる。またSiC母材よりも硬度の小さい砥粒を用いることで、母材への損傷を抑制することが可能となる.
技術概要
砥粒を用いてSiC母材を加工する加工装置であって、加工部(電極工具7)に、砥粒を含む電解液(加工槽2)を供給するとともに、SiC母材(ワーク3)と加工部(電極工具7)の間に電解電圧を印加することにより、SiC母材(ワーク3)の表面に、この母材より硬度の低いSiC変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、SiC変性被膜より硬度が高く、かつ、SiC母材(ワーク3)より硬度の低いものとした。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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