| 出願番号 |
特願2012-271341 |
| 出願日 |
2012/12/12 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2014-113677 |
| 公開日 |
2014/6/26 |
| 登録番号 |
特許第6041301号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
半導体ウエハの加工装置 |
| 技術分野 |
機械・加工、電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
半導体ウエハの加工装置 |
| 目的 |
電解加工を行う際、ＳｉＣ硬度＞砥粒硬度＞ＳｉＣ変性部硬度とすることにより、ＳｉＣより硬度が低く、安価な研磨砥粒により、ＳｉＣ変性部硬度を効率的に切断、研磨可能とする。 |
| 効果 |
ＳｉＣ母材表面に、この母材より硬度の低いＳｉＣ変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、ＳｉＣ変性被膜より硬度が高く、かつＳｉＣの母材より硬度の低いものにできるので、ダイヤモンド、ＣＢＮ等の高価な砥粒を使用することなく、きわめて安価なアルミナ、炭化珪素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素(シリカ)、酸化ジルコニウム、酸化セリウム等により、ＳｉＣ半導体ウエハの効率的な研磨、切断を行うことが可能となる。またＳｉＣ母材よりも硬度の小さい砥粒を用いることで、母材への損傷を抑制することが可能となる． |
技術概要
 |
砥粒を用いてＳｉＣ母材を加工する加工装置であって、加工部(電極工具７)に、砥粒を含む電解液(加工槽２)を供給するとともに、ＳｉＣ母材(ワーク３)と加工部(電極工具７)の間に電解電圧を印加することにより、ＳｉＣ母材(ワーク３)の表面に、この母材より硬度の低いＳｉＣ変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、ＳｉＣ変性被膜より硬度が高く、かつ、ＳｉＣ母材(ワーク３)より硬度の低いものとした。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)