出願番号 |
特願2012-271341 |
出願日 |
2012/12/12 |
出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
特開2014-113677 |
公開日 |
2014/6/26 |
登録番号 |
特許第6041301号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
半導体ウエハの加工装置 |
技術分野 |
機械・加工、電気・電子 |
機能 |
制御・ソフトウェア |
適用製品 |
半導体ウエハの加工装置 |
目的 |
電解加工を行う際、SiC硬度>砥粒硬度>SiC変性部硬度とすることにより、SiCより硬度が低く、安価な研磨砥粒により、SiC変性部硬度を効率的に切断、研磨可能とする。 |
効果 |
SiC母材表面に、この母材より硬度の低いSiC変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、SiC変性被膜より硬度が高く、かつSiCの母材より硬度の低いものにできるので、ダイヤモンド、CBN等の高価な砥粒を使用することなく、きわめて安価なアルミナ、炭化珪素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素(シリカ)、酸化ジルコニウム、酸化セリウム等により、SiC半導体ウエハの効率的な研磨、切断を行うことが可能となる。またSiC母材よりも硬度の小さい砥粒を用いることで、母材への損傷を抑制することが可能となる. |
技術概要
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砥粒を用いてSiC母材を加工する加工装置であって、加工部(電極工具7)に、砥粒を含む電解液(加工槽2)を供給するとともに、SiC母材(ワーク3)と加工部(電極工具7)の間に電解電圧を印加することにより、SiC母材(ワーク3)の表面に、この母材より硬度の低いSiC変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、SiC変性被膜より硬度が高く、かつ、SiC母材(ワーク3)より硬度の低いものとした。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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