半導体先鋭構造及びその作製方法、並びにスポットサイズ変換器、無反射終端

開放特許情報番号
L2013000643
開放特許情報登録日
2013/4/19
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願2013-006445
出願日 2013/1/17
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-137496
公開日 2014/7/28
登録番号 特許第5750732号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 シリコン先鋭構造及びその作製方法、並びにスポットサイズ変換器、無反射終端
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体先鋭構造及びその作製方法、並びにスポットサイズ変換器、無反射終端
目的 低損失化及び偏波依存性の低減が図られた半導体先鋭構造及びその作製方法、並びにスポットサイズ変換器、無反射終端を提供する。
効果 低損失化及び偏波依存性の低減が図られたシリコン等の半導体先鋭構造が得られるばかりでなく、シリコン等の半導体先鋭構造を有する光集積回路の低コスト化が実現される。
技術概要
半導体細線光導波路のコア構造の端部に形成され、先鋭構造を構成する少なくとも一辺に傾斜した側壁を有する半導体先鋭構造であって、先端に向かって幅及び厚みが減少している半導体先鋭構造及び先鋭構造を構成することになる一辺を含む半導体細線光導波路のコア構造を形成する工程と、半導体細線光導波路のコア構造上にフォトレジストを塗布する工程と、先鋭構造を構成することになる他の一辺を一部に含むマスクパターンを用いて、先鋭構造を構成することになる他の一辺の外側の領域のフォトレジストが除去されるようにフォトレジストに開口を形成する工程と、開口下に位置する先鋭構造を構成することになる他の一辺の側壁が厚み方向に傾斜するようにドライエッチングする工程とを含むその作製方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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