超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法

開放特許情報番号
L2013000602
開放特許情報登録日
2013/4/16
最新更新日
2016/2/1

基本情報

出願番号 特願2011-153614
出願日 2011/7/12
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2013-019777
公開日 2013/1/31
登録番号 特許第5846626号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、検査・検出
適用製品 超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法
目的 極低温を安定に維持しつつシステムを小型化し、しかも高い光子検出精度を得ることができる超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法を提供する。
効果 極低温を安定に維持しつつシステムを小型化し、しかも高い性能(高検出効率・高速応答)を得ることができるという効果を奏する。
本発明の超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法は、極低温を安定に維持しつつシステムを小型化し、しかも高い光子検出精度を得るために有用である。
技術概要
バイアス電流によって動作する超伝導単一光子検出器と、
前記超伝導単一光子検出器から出力される検出信号を負荷抵抗素子を有する変換器を用いて単一磁束量子信号に変換し、演算処理を行う超伝導単一磁束量子回路と、を備え、
前記超伝導単一光子検出器と前記超伝導単一磁束量子回路との間は交流信号伝送経路によって接続され、
前記超伝導単一光子検出器に前記バイアス電流を供給するバイアス電流経路は、前記交流信号伝送経路に高インピーダンス素子を介して接続され、
前記高インピーダンス素子は、高周波におけるインピーダンスが前記超伝導単一磁束量子回路の前記負荷抵抗素子のインピーダンスより高い、超伝導単一光子検出システム。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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