量子ナノドット、二次元量子ナノドットアレイ及びこれを用いた半導体装置並びに製造方法

開放特許情報番号
L2013000549
開放特許情報登録日
2013/4/10
最新更新日
2016/6/21

基本情報

出願番号 特願2013-520571
出願日 2012/6/13
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 WO2012/173162
公開日 2012/12/20
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 量子ナノドット、二次元量子ナノドットアレイ及びこれらを用いた半導体装置並びに製造方法
目的 従来の方法では困難であった約10nm以下の寸法を有する量子ナノドット、二次元量子ナノドットアレイ及びこれを用いた半導体装置並びに製造方法を提供する。
効果 二次元方向の寸法が半導体中の励起子のボーア半径の2倍以下であり、高配向でかつ高密度であるので、量子閉じ込め効果が高い。このため、Siからなる量子ナノドットは、直接遷移的発光が生じる。
二次元方向の寸法が半導体中の励起子のボーア半径の2倍以下であり、高配向でかつ高密度であるので、量子閉じ込め効果、光吸収特性及び輸送特性が良好である。
本発明の量子ナノドット及び二次元量子ナノドットアレイを用いた半導体装置では、量子閉じ込め効果により効率の良い半導体装置が得られる。
技術概要
左記添付図は、本発明に従う二次元配置された量子ナノドットアレイ1の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線に沿った断面図である。
左記添付図に示すように、二次元配置された量子ナノドット(以下、二次元量子ナノドットと略する。)1は基板2上に形成されている。各量子ナノドット3は半導体からなり、量子効果が生じるような寸法を有している。半導体は、無機物又は有機物からなる材料を使用できる。無機物からなる半導体としては、Si,Geのような単元素半導体や化合物半導体、複数の化合物半導体の混晶等が挙げられる。基板2としては、基板2の表面に量子ナノドット3が形成できる基板材料を使用できる。具体的には、上記の半導体の基板2やガラスや石英ガラスからなる基板2を用いてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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