超臨界流体を用いた化合物半導体膜の製造方法

開放特許情報番号
L2013000548
開放特許情報登録日
2013/4/10
最新更新日
2017/1/25

基本情報

出願番号 特願2011-139784
出願日 2011/6/23
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2013-008799
公開日 2013/1/10
登録番号 特許第6044942号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 超臨界流体を用いた化合物半導体膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 超臨界流体を用いた化合物半導体膜の製造方法
目的 太陽電池に用いられる化合物半導体膜においてはおり大面積・均一・低コストの生産性の高い製造プロセスが求められている。
効果 超臨界流体を反応溶媒兼、還元剤として用いることで、化合物半導体膜の低温での大面積薄膜製造を可能ならしめる新しいプロセスを見出した。
技術概要
添加元素ソースを含む超臨界流体中で前駆体金属膜を熱処理し、化合物半導体膜を製造することを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。
我々は超臨界流体を反応溶媒として用いることで、低毒性な有機化合物を添加元素ソースとして、金属膜の変換による化合物半導体膜の製造プロセスを低温で行うことに成功した。一例として、セレン化プロセスをあげると、300℃という低温環境下において、添加元素ソースとして、毒性の低いジエチルセレンを用い、CuIn前駆体合金膜をセレン化することによりCuInSe↓2化合物半導体膜を1時間程度の短時間で作製することに成功した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT