ジホスフィン化合物、その遷移金属錯体およびその遷移金属錯体を含む触媒並びにホスフィンオキシド化合物及びジホスフィンオキシド化合物

開放特許情報番号
L2013000533
開放特許情報登録日
2013/4/9
最新更新日
2014/3/27

基本情報

出願番号 特願2008-217233
出願日 2008/8/26
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2010-053049
公開日 2010/3/11
登録番号 特許第5454756号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 ジホスフィン化合物、その遷移金属錯体およびその遷移金属錯体を含む触媒並びにホスフィンオキシド化合物及びジホスフィンオキシド化合物
技術分野 有機材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 ジホスフィン化合物、その遷移金属錯体及びその遷移金属錯体を含む触媒並びにホスフィンオキシド化合物及びジホスフィンオキシド化合物
目的 より選択性及び触媒活性に優れた触媒及びそれに用いられる化合物を提供する。
効果 より選択性及び触媒活性に優れた触媒及びそれに用いられる化合物を提供することができる。
本発明に係るジホスフィン化合物は遷移金属を作用させることで遷移金属錯体の配位子として有用である。
特に、この遷移金属錯体は炭素−窒素結合形成反応の触媒として、また、光学活性のものは不斉水素化反応の触媒としても有用であり、産業上の利用可能性がある。
技術概要
 
下記式(1)(下記概略イメージ参照)で表されるジホスフィン化合物。

(上記式(1)中、R↑1,R↑2は、各々独立に、シクロアルキル基、非置換若しくは置換のフェニル基、または五員複素芳香環残基を示す。)
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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