高精度非接触位置測定機構を持つサブミリ波近傍界測定装置

開放特許情報番号
L2013000457
開放特許情報登録日
2013/3/22
最新更新日
2015/6/22

基本情報

出願番号 特願2011-006743
出願日 2011/1/17
出願人 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
公開番号 特開2012-149901
公開日 2012/8/9
発明の名称 高精度非接触位置測定機構を持つサブミリ波近傍界測定装置
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 サブミリ波ビームの電磁気的強度分布を測定するためのシステム、及び方法
目的 サブミリ波ビームの電磁気的強度分布を、光学系構成要素のセットアップに伴う誤差による影響を受けずに、且つ非接触で測定するためのシステム及び方法を提供する。
効果 サブミリ波帯のような高周波ビームの近傍界測定を行うにあたり、測定前の維持管理では除去することができない送信系・受信光学系間のわずかなミスアラインメントに起因する測定結果への影響をも排して、より厳密な測定結果を得ることが可能となる。これにより、サブミリ波のビーム幅や伝搬ベクトル方向等のパラメータを、従来にない高精度(ビーム幅については、50μm程度の誤差範囲)で決定することができる。
技術概要
サブミリ波ビーム受信部に3以上のコリメート光反射体を配置し、コリメータから送信され当該反射体により反射されたコリメート光の受光位置に基づいて、送信系と受信光学系との間のミスアラインメントを決定する。受信光学系にて受信されたサブミリ波ビームの電磁気的強度分布を、ミスアラインメントを用いて補正することにより、ミスアラインメントの影響が排された強度分布を決定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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