金ナノ粒子の製造方法

開放特許情報番号
L2013000378
開放特許情報登録日
2013/3/14
最新更新日
2014/9/26

基本情報

出願番号 特願2009-207721
出願日 2009/9/9
出願人 公立大学法人首都大学東京
公開番号 特開2011-058037
公開日 2011/3/24
登録番号 特許第5581025号
特許権者 公立大学法人首都大学東京
発明の名称 金ナノ粒子の製造方法
技術分野 金属材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 金ナノ粒子の製造方法
目的 有毒な塩化金酸などの金化合物および還元剤を用いることなく、安全で環境に優しく、かつ簡単な手法で、粒径分布の狭い100nm以下の粒状金ナノ粒子を製造することのできる金ナノ粒子の方法を提供する。
効果 金ナノ粒子を安価に製造することができ、しかも従来の方法のような有害な金化合物や還元剤を用いないことから、安全で環境対応性に優れた手法で、金ナノ粒子を製造することができる。
また、数十nm程度の粒径を有する粒状の金ナノ粒子を製造することができる。
さらに、粒径分布が狭くまた他の金属の混入、付着の恐れのない金ナノ粒子を製造することができ、このため狭ピッチに対応した厚膜導体を形成できる導電性ペーストや良質な装飾用塗料などを製造することができるし、特性の良好な触媒や、センサーを形成する素材としても利用できる。
技術概要
シュウ酸およびその塩を除くカルボン酸またはカルボン酸塩水溶液中で金をアノード酸化し、得られた多孔質膜を水に例えば一週間浸漬する。これにより多孔質膜の自然分解が起こり、その結果金ナノ粒子分散液が得られる。この分散液を遠心分離、ろ過などすることにより、金ナノ粒子を分離・回収し、必要に応じ乾燥して金ナノ粒子を得る。カルボン酸、カルボン酸塩としては、クエン酸、乳酸、酒石酸、林檎酸およびそれらの塩が好ましい。また金電極にかける電位は、水素標準電極電位に対して+1.5〜11V程度が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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