光センサ回路およびイメージセンサ

開放特許情報番号
L2013000210
開放特許情報登録日
2013/2/8
最新更新日
2013/2/8

基本情報

出願番号 特願2005-348471
出願日 2005/12/1
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2007-158547
公開日 2007/6/21
登録番号 特許第4205717号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 光センサ回路およびイメージセンサ
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 光センサ回路、およびこの光センサ回路を1つの画素として用いて作製されるイメージセンサ
目的 低照度の入射光に対して線形出力特性を有しかつ高照度の入射光に対して対数出力特性を有する光センサ回路であって、線形出力範囲を任意に設定可能にして光センサ回路毎のばらつきを抑制でき、低照度等でS/N比が高く、サンプル・ホールド時に電荷集積用コンデンサで信号電荷の集積を高めて感度を高くすることができる光センサ回路、およびこの光センサ回路を使用して成るイメージセンサを提供する。
効果 第1静電容量要素に溜まった電荷を第2静電容量要素へ効率よく転送でき、第1静電容量要素に溜まった電荷を有効に活用でき、サンプル・ホールド時に電荷集積用コンデンサで信号電荷の集積を高め、光センサ回路のセンサ感度を高くすることができる。
線形出力特性領域と対数出力特性領域の間の変化点を制御することができ、変化点の電位の各光センサ回路毎のばらつきを安定的になくし、低照度等でS/N比が高く、高感度で、ダイナミックレンズが広く、さらに残像を少なくすることができる。
技術概要
光センサ回路10は、光電変換素子PDと、電流信号を電圧信号に変換する第1MOS型トランジスタQ1と、第1静電容量素子C1と、第2静電容量要素C2と、第1静電容量素子から第2静電容量素子への電荷転送を制御する第2MOS型トランジスタQ4と、第1MOS型トランジスタQ1と第2MOS型トランジスタQ4のゲート電圧とドレイン電圧を供給する制御手段15を備える。制御手段15は、MOS型トランジスタQ1,Q4のゲート電圧とドレイン電圧の設定に関して、電荷転送が有効に行われるように、初期設定および電荷転送についての適切な電圧制御を行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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