光センサ回路およびイメージセンサ

開放特許情報番号
L2013000207
開放特許情報登録日
2013/2/8
最新更新日
2013/2/8

基本情報

出願番号 特願2005-206114
出願日 2005/7/14
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2007-028103
公開日 2007/2/1
登録番号 特許第4528221号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 光センサ回路およびイメージセンサ
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 光センサ回路、およびこの光センサ回路で構成されるイメージセンサ
目的 フォトダイオードに入射される光信号の光強度が高い領域でも出力低下を生ぜず、入射光の広い光強度レンジで光強度に比例した安定した線形的な出力特性を得ることができる光センサ回路およびイメージセンサを提供する。
効果 電荷移動用MOS型トランジスタのゲート下に蓄積される電荷を少なくすることができる。さらに、ゲート寄生容量に蓄積された電子の影響を低減することができる。
光強度に比例した安定した線形的な出力特性を得ることができ、ダイナミックレンジの広いシャッタ機能を有した光センサ回路およびイメージセンサを実現できる。
本発明は、撮像装置であるMOS型イメージセンサの1次元または2次元のイメージセンサを形成する光センサ回路(または画素)として利用できる。
技術概要
この光センサ回路は、コンデンサC1を含むフォトダイオードPDと、電流信号を弱反転状態で対数特性を有する電圧信号に変換する変換用MOS型トランジスタQ1と、電圧信号を保持するコンデンサC2と、コンデンサC1,C2を選択的に接続する電荷移動用MOS型トランジスタQ2と、コンデンサC2が保持する電圧信号を駆動信号として電流信号を発生する増幅用MOS型トランジスタQ3と、電圧信号を選択的に出力させるための出力選択用MOS型トランジスタQ4と、電荷移動用MOS型トランジスタQ2のゲート駆動電圧を、変換用MOS型トランジスタQ1のゲート電圧よりも電荷移動用MOS型トランジスタQ2のゲートしきい値電圧だけ高くする電源部とを備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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