光センサ回路およびイメージセンサ

開放特許情報番号
L2013000206
開放特許情報登録日
2013/2/8
最新更新日
2013/2/8

基本情報

出願番号 特願2005-196658
出願日 2005/7/5
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2007-019650
公開日 2007/1/25
登録番号 特許第4648777号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 光センサ回路およびイメージセンサ
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 光センサ回路、およびこの光センサ回路を画素として利用して構成されるイメージセンサ
目的 高輝度撮影時における暗出力用MOS型トランジスタのオフ時のゲート下の電荷溢れ(オーバフロー)が暗出力に影響を与えないようにし、相関二重サンプリングによる画素の固定パターンノイズの除去技術の利用を適切に行い、広いダイナミックレンジを実現できると共に、入射光に依存して発電状態が生じたとしても発電電流がセンサ出力に影響を与えるのを防止することができる光センサ回路およびイメージセンサを提供する。
効果 適切な暗出力信号を得ることができる。さらに、低光強度から高光強度まで画素の固定パターンノイズを除去することができ、広いダイナミックレンジを有する光センサ回路およびイメージセンサを実現できる。また、入射光に依存して発電状態が生じたとしても側路用MOS型トランジスタを経由して流すことができ、当該発電電流がセンサ出力に影響を与えるのを防止することができる。
本発明は、撮像装置であるMOS型イメージセンサの1次元または2次元のイメージセンサを形成する光センサ回路(または画素)として利用される。
技術概要
光センサ回路10は、フォトダイオードPDと、フォトダイオードから出力される電流信号を電圧信号に変換する対数変換用MOS型トランジスタQ1と、MOS型トランジスタQ1から出力される電圧信号を増幅する増幅用MOS型トランジスタQ2と、増幅用MOS型トランジスタから出力される電圧信号を選択的に出力させる出力選択用MOS型トランジスタQ3と、フォトダイオードに流れる電流信号を遮断する遮断用MOS型トランジスタQ4と、遮断用MOS型トランジスタがオフ動作時に光電変換素子のオーバフロー電荷を流すための側路用MOS型トランジスタQ5とから構成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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