スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

開放特許情報番号
L2013000193
開放特許情報登録日
2013/2/5
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2012-209700
出願日 2012/9/24
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2013-016854
公開日 2013/1/24
登録番号 特許第5451840号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
目的 ソース及びドレインに強磁性体によるショットキー接合を用いた金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ(MISFET)を提供する。
加えて、このトランジスタ単体で1ビットのメモリセルを構成することにより大容量・不揮発性記憶装置を提供する。
効果 本発明のMISFETによれば、強磁性ソースに対する強磁性ドレインとの相対的な磁化の向きによって2値の情報を記憶することができるとともに、この相対的な磁化の向きを電気的に検出することができる。従って、1つのトランジスタのみで1ビットの不揮発性メモリセルを構成することができるため、高速かつ高集積密度の不揮発性記憶回路の実現が可能になる。
技術概要
一方のスピンに対し金属的スピンバンド構造を、他方のスピンに対し半導体的スピンバンド構造をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、注入されたスピン偏極した伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、強磁性ソースと強磁性ドレインとの間に設けられた半導体層と、強磁性ソースと半導体層との間及び強磁性ドレインと半導体層との間に設けられた金属層と、半導体層に対して形成されるゲート電極と、ソース及びドレインに対して形成された非磁性コンタクトと、を有し、金属層は、半導体層との界面において、ショットキー接合を形成し、非磁性コンタクトのフェルミエネルギーは、それぞれ強磁性ソース及び強磁性ドレインの半導体的スピンバンドのバンドギャップ中を横切るトランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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