超電導膜の製造方法並びに該方法により得られる超電導膜及び仮焼成膜

開放特許情報番号
L2013000162
開放特許情報登録日
2013/1/25
最新更新日
2015/11/2

基本情報

出願番号 特願2012-223208
出願日 2012/10/5
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-100218
公開日 2013/5/23
発明の名称 超電導膜の製造方法並びに該方法により得られる超電導膜及び仮焼成膜
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 超電導材料の製造方法、超電導膜の製造方法
目的 より低コストの低エネルギー・軽イオン照射によって超電導膜中にピン止め中心を導入することができ、磁場中でのJc特性が磁場方向によらず高められた超電導膜の製造方法を提供する。
効果 イオン照射後の超電導膜又は仮焼成膜には円柱状欠陥が再現性よく導入されるので、磁場中でのJc特性が高められた超電導膜を、低コストで、製造効率よく、大量に生産できる。
技術概要
支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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