| 出願番号 |
特願2011-282196 |
| 出願日 |
2011/12/22 |
| 出願人 |
公立大学法人首都大学東京 |
| 公開番号 |
特開2012-144426 |
| 公開日 |
2012/8/2 |
| 登録番号 |
特許第5854462号 |
| 特許権者 |
東京都公立大学法人 |
| 発明の名称 |
単層カーボンナノチューブの結晶作製方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
単層カーボンナノチューブの結晶作製方法、単層カーボンナノチューブ結晶及びこの単層カーボンナノチューブ結晶を用いた電子デバイス |
| 目的 |
高純度で、且つ電子デバイスに応用できる大きさのＳＷＣＮＴの結晶作製方法を提供し、該方法により作製されたＳＷＣＮＴ結晶、並びに該ＳＷＣＮＴ結晶を用いた電子デバイスを提供する。 |
| 効果 |
溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、高純度で、電子デバイスに応用できる十分な大きさに成長したＳＷＣＮＴ結晶を得ることができる。
本発明により作製されるＳＷＣＮＴ結晶は一様な方向性を持ち、また、ＳＷＣＮＴ結晶は一本一本取り扱いが可能であり、且つ、同じ電気的特性を示すことから、電気的特性を計算して一本単位で電子デバイスに組み込むことが可能であり、電子デバイス作製用の材料として好適である。 |
技術概要
 |
溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)