光電変換素子の製造方法、光電変換素子およびタンデム型光電変換素子

開放特許情報番号
L2012003539
開放特許情報登録日
2012/12/19
最新更新日
2012/12/19

基本情報

出願番号 特願2011-050035
出願日 2011/3/8
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2012-186415
公開日 2012/9/27
発明の名称 光電変換素子の製造方法、光電変換素子およびタンデム型光電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 光エネルギーを電気エネルギーに変換できる光電変換素子
目的 安価な材料を用いた光電変換装置において、変換効率を向上する技術を提供する。
効果 安価な材料を用いた光電変換装置において、変換効率を向上することができる。
亜鉛や銅は人体に対して無毒・無害であり、「環境にやさしい」材料である。主原料の亜酸化銅は銅板を熱酸化させるだけで比較的簡単に製造できる。
また、携帯電話や携帯ゲーム機器用の太陽光発電器等への応用を考えた場合には室内での使用が前提になるため、Si系材料と比較して広いバンドギャップを有する亜酸化銅(約2eV)は、蛍光灯やLED照明下における発電に有利である。
技術概要
光電変換素子20の製造方法は、多結晶の亜酸化銅からなる第1の半導体層22を準備する準備工程と、第1の半導体層22の上に、ノンドープの酸化亜鉛からなる、層厚が10〜100nmの第2の半導体層24を形成する半導体層形成工程と、第2の半導体層24の上に透明導電層26を形成する導電層形成工程と、を含み、半導体層形成工程は、50℃以下の雰囲気温度で行われる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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