積層ＬＳＩの接続状態の検査方法

開放特許情報番号

L2012003492

開放特許情報登録日

2012/12/13

最新更新日

2015/6/29

基本情報

出願番号	特願2012-209960
出願日	2012/9/24
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2014-066527
公開日	2014/4/17
発明の名称	積層ＬＳＩの接続状態の検査方法
技術分野	電気・電子、情報・通信
機能	機械・部品の製造、検査・検出
適用製品	積層ＬＳＩにおける該接続状態を検査する方法
目的	積層ＬＳＩの貫通電極の全ての部分の接続状態の検査を漏れなく行う。
効果	積層ＬＳＩの接続不良を検出する手段と、を備える、積層ＬＳＩの接続状態の検査装置を提供できる。 接続不良部分の製造条件等を調整して、接続不良を改善でき、過渡温度を測定することにより接続不良を確実に検出できる。 また、接続不良のものと正常品の温度差分をとることにより、繰り返し計測によって積分回数を増やし、検出感度を高めることができる。
技術概要	積層された複数のＬＳＩが貫通電極により互いに接続された積層ＬＳＩの接続状態を検査する方法であって、 貫通電極に対し給熱又は排熱し、当該貫通電極を通じて熱を移動させる工程と、 前記熱の移動時に、積層ＬＳＩの最上面の貫通電極表面の温度を測定する工程と、 貫通電極表面の温度に基づいて、積層ＬＳＩの接続不良を検出する工程と、を有する積層ＬＳＩの接続状態の検査方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】