積層LSIの接続状態の検査方法

開放特許情報番号
L2012003492
開放特許情報登録日
2012/12/13
最新更新日
2015/6/29

基本情報

出願番号 特願2012-209960
出願日 2012/9/24
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-066527
公開日 2014/4/17
発明の名称 積層LSIの接続状態の検査方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 積層LSIにおける該接続状態を検査する方法
目的 積層LSIの貫通電極の全ての部分の接続状態の検査を漏れなく行う。
効果 積層LSIの接続不良を検出する手段と、を備える、積層LSIの接続状態の検査装置を提供できる。
接続不良部分の製造条件等を調整して、接続不良を改善でき、過渡温度を測定することにより接続不良を確実に検出できる。
また、接続不良のものと正常品の温度差分をとることにより、繰り返し計測によって積分回数を増やし、検出感度を高めることができる。
技術概要
積層された複数のLSIが貫通電極により互いに接続された積層LSIの接続状態を検査する方法であって、
貫通電極に対し給熱又は排熱し、当該貫通電極を通じて熱を移動させる工程と、
前記熱の移動時に、積層LSIの最上面の貫通電極表面の温度を測定する工程と、
貫通電極表面の温度に基づいて、積層LSIの接続不良を検出する工程と、を有する積層LSIの接続状態の検査方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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