半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2012003467
開放特許情報登録日
2012/12/13
最新更新日
2016/10/3

基本情報

出願番号 特願2014-536718
出願日 2013/8/29
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2014/045828
公開日 2014/3/27
登録番号 特許第5967678号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体チップと基板、又は半導体チップ同士を接続してなる半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置
目的 位置合わせを高精度で行いながら、比較的に低温で半導体チップの電極と基板等の電極とを強固に接合することが可能な半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置を提供すること。
効果 半導体チップと基板、又は半導体チップ同士の接続を行う半導体製造装置が提供される。
技術概要
半導体チップと基板、又は半導体チップ同士を接続してなる半導体装置の製造方法であって、一方の半導体チップ又は基板に、略円錐形状に突出した第一電極を形成するバンプ形成工程と、他方の半導体チップ又は基板に、内側面が略角錐形状又は角柱形状の凹部を有する第二電極を形成するパッド形成工程と、前記第一電極を前記凹部に挿入した状態で、前記第一電極と前記第二電極とを互いに近づける方向に加圧し、前記第一電極の中心軸と前記凹部の中心軸とを一致させた状態とする加圧工程と、前記第一電極及び前記第二電極の少なくとも一方を超音波により振動させ、前記第一電極と前記第二電極とを接合させる超音波接合工程と、を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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