単結晶SiGe層の製造方法及びそれを用いた太陽電池

開放特許情報番号
L2012003463
開放特許情報登録日
2012/12/13
最新更新日
2016/11/25

基本情報

出願番号 特願2012-198489
出願日 2012/9/10
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-053545
公開日 2014/3/20
登録番号 特許第6004429号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 単結晶SiGe層の製造方法及びそれを用いた太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 単結晶SiGe層の製造方法及びそれを用いた太陽電池
目的 Si基板上に表面平坦性に優れ、複雑かつ精密制御が不要な単結晶SiGe層を製造する製造方法及びそれを用いた太陽電池を提供する。
効果 表面平坦性に優れ、低転位密度で任意組成の高品質の単結晶SiGe層を製造でき、また、製造の際に複雑かつ精密制御を不要にできる。
また、本発明の単結晶SiGe層を用いることで良好な整流性を備える太陽電池を得ることができる。
本発明の単結晶SiGe層は、前述したヘテロ接合型太陽電池のほか、バイポーラトランジスタ、高電子移動度トランジスタ、発光素子、受光素子に応用することができる。
技術概要
単結晶SiGe層100は、Si基板101上に、Si↓(1-x)Ge↓x緩衝層102、Si↓(1-x)Ge↓x歪み反転層103、Si↓(1-x)Ge↓x光吸収層104が積層された構造である。Si基板101はP型又はN型であり、電極として備えられる。Si↓(1-x)Ge↓x緩衝層102は、複数のSi↓(1-x)Ge↓x半導体層が積層されてなる構造であり、転位の密度を最小にするようにしながら、下地のSi基板と複数のSi↓(1-x)Ge↓x半導体層の格子定数を段階的に適合させるために用いられる。Si↓(1-x)Ge↓x歪み反転層103は、Si↓(1-x)Ge↓x光吸収層104に発生する引張り応力に対して圧縮歪み応力を発生させる。Si↓(1-x)Ge↓x光吸収層104は、外部光を吸収し、キャリアを生成するために用いられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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