| 出願番号 |
特願2012-198489 |
| 出願日 |
2012/9/10 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2014-053545 |
| 公開日 |
2014/3/20 |
| 登録番号 |
特許第6004429号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
単結晶ＳｉＧｅ層の製造方法及びそれを用いた太陽電池 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
単結晶ＳｉＧｅ層の製造方法及びそれを用いた太陽電池 |
| 目的 |
Ｓｉ基板上に表面平坦性に優れ、複雑かつ精密制御が不要な単結晶ＳｉＧｅ層を製造する製造方法及びそれを用いた太陽電池を提供する。 |
| 効果 |
表面平坦性に優れ、低転位密度で任意組成の高品質の単結晶ＳｉＧｅ層を製造でき、また、製造の際に複雑かつ精密制御を不要にできる。
また、本発明の単結晶ＳｉＧｅ層を用いることで良好な整流性を備える太陽電池を得ることができる。
本発明の単結晶ＳｉＧｅ層は、前述したヘテロ接合型太陽電池のほか、バイポーラトランジスタ、高電子移動度トランジスタ、発光素子、受光素子に応用することができる。 |
技術概要
 |
単結晶ＳｉＧｅ層１００は、Ｓｉ基板１０１上に、Ｓｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x緩衝層１０２、Ｓｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x歪み反転層１０３、Ｓｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x光吸収層１０４が積層された構造である。Ｓｉ基板１０１はＰ型又はＮ型であり、電極として備えられる。Ｓｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x緩衝層１０２は、複数のＳｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x半導体層が積層されてなる構造であり、転位の密度を最小にするようにしながら、下地のＳｉ基板と複数のＳｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x半導体層の格子定数を段階的に適合させるために用いられる。Ｓｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x歪み反転層１０３は、Ｓｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x光吸収層１０４に発生する引張り応力に対して圧縮歪み応力を発生させる。Ｓｉ↓（1-x）Ｇｅ↓x光吸収層１０４は、外部光を吸収し、キャリアを生成するために用いられる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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