磁気的多層膜及びトンネル磁気抵抗素子

開放特許情報番号
L2012003334
開放特許情報登録日
2012/11/27
最新更新日
2017/1/25

基本情報

出願番号 特願2014-533009
出願日 2013/8/27
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2014/034639
公開日 2014/3/6
登録番号 特許第6049032号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気多層膜やTMR素子
目的 酸化マグネシウム(001)”を含む非磁性体層(トンネル障壁層)の上に約1nmよりも薄い高品質の強磁性体層(強磁性上部電極層)を作製すること。前記非磁性体層に近い側の第1の強磁性体層(強磁性上部電極層の一部)を約1nmよりも薄い平坦な連続膜として作製すること。
効果 本発明によれば、介在層(3d遷移金属元素を含む酸化物層)を設けることで、(001)結晶面が優先配向した単結晶又は多結晶の酸化マグネシウムを含む非磁性体層(トンネル障壁層)の上に、極めて薄くて平坦な強磁性体層(上部電極層)を作製することが可能となる。それでいて、TMR素子の場合、MR比が余り劣化しないで済む。
技術概要
本発明者らは、偶然にも、そのような濡れ性の悪い“酸化マグネシウム(001)”層(トンネル障壁層)表面の上に、極めて薄い或る種の介在層(3d遷移金属元素を含む酸化物層)を設けておくと、濡れ性が大幅に改善される結果、上記の問題点が解消され、しかも介在層を設けても極めて薄いのでTMR素子の磁気抵抗比(MR比)が余り劣化しないことを見出し、本発明を成すに至った。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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