シリコン製造装置及びシリコン製造方法

開放特許情報番号
L2012003305
開放特許情報登録日
2012/11/27
最新更新日
2013/10/14

基本情報

出願番号 特願2011-514433
出願日 2010/5/19
出願人 旭硝子株式会社、株式会社キノテック・ソーラーエナジー
公開番号 WO2010/134544
公開日 2010/11/25
発明の名称 シリコン製造装置及びシリコン製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 反応器又はその内管にシリコン析出領域を形成するシリコン製造装置及びシリコン製造方法
目的 低コストで収率よく多結晶のシリコンを生成することができ、連続的かつ効率的に多結晶のシリコンを回収することも可能にする、又はその構成を実現し得る拡張性のあるシリコン製造装置及びシリコン製造方法を提供する。
効果 低コストで収率よく多結晶のシリコンを生成することができ、連続的かつ効率的に多結晶のシリコンを回収するための拡張性のある構成を実現し得る。また、かかる効果は、本発明の別の局面におけるシリコン製造方法においても同様に得られる。
技術概要
鉛直方向に立設する反応器と、前記反応器に連絡して四塩化珪素ガス供給口を有すると共に、前記四塩化珪素ガス供給口から四塩化珪素ガスを前記反応器内に供給する四塩化珪素ガス供給管と、前記反応器に連絡して亜鉛ガス供給口を有すると共に、前記亜鉛ガス供給口から亜鉛ガスを前記反応容器内に供給する亜鉛ガス供給管と、前記反応器を加熱する加熱器とを備え、前記亜鉛ガス供給口は、前記四塩化珪素ガス供給口よりも前記鉛直方向について上方にあり、前記加熱器で、前記反応器の一部の温度をシリコンの析出温度範囲に設定しつつ、前記四塩化珪素ガス供給口から四塩化珪素ガスを前記反応器内に供給すると共に、前記亜鉛ガス供給口から亜鉛ガスを前記反応容器内に供給して、前記反応器内で四塩化珪素を亜鉛で還元して、前記反応器内において前記シリコンの析出温度範囲に設定された領域に対応した壁部にシリコンが析出するシリコン析出領域を形成するシリコン製造装置。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】
希望譲渡先(国外) 【可】 

アピール情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
Copyright © 2017 INPIT