シリコン製造装置及びシリコン製造方法

開放特許情報番号
L2012003287
開放特許情報登録日
2012/11/22
最新更新日
2013/10/14

基本情報

出願番号 PCT/JP2011/079866
出願日 2011/12/22
出願人 株式会社キノテック・ソーラーエナジー、旭硝子株式会社
公開番号 WO2012/086777
公開日 2012/6/28
発明の名称 シリコン製造装置及びシリコン製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、安全・福祉対策
適用製品 反応器又はその内管にシリコン析出領域を形成するシリコン製造装置及びシリコン製造方法
目的 低コストで収率よく多結晶のシリコンを生成することができると共に、シリコンが析出される面を有する部材の材料が混入されることを抑制しながら連続的かつ効率的に多結晶のシリコンを回収することも可能にする拡張性のあるシリコン製造装置及びシリコン製造方法を提供する。
効果 低コストで収率よく多結晶のシリコンを生成することができると共に、シリコンが析出される面を有する部材の材料が混入されることを抑制しながら連続的かつ効率的に多結晶のシリコンを回収することができる拡張性のある構成を実現し得る。
簡便な構成により効率的に棒部材を移動することができ、シリコンが析出される部材の材料が混入されることを抑制しながら連続的かつ効率的に多結晶のシリコンを剥離して回収することができる。
汎用普遍的な性格から、太陽電池用シリコン等の製造装置に広範に適用され得る。
技術概要
鉛直方向に立設する反応器と、前記反応器に連絡して四塩化珪素ガス供給口を有すると共に、前記四塩化珪素ガス供給口から四塩化珪素ガスを前記反応器内に供給する四塩化珪素ガス供給管と、前記反応器に連絡する亜鉛ガス供給口を有すると共に、前記亜鉛ガス供給口から亜鉛ガスを前記反応容器内に供給する亜鉛ガス供給管と、前記反応器を加熱する加熱器と、前記反応器の内部に侵入する棒部材を有し、前記棒部材を前記鉛直方向に移動自在な剥離機構と、を備え、前記加熱器で、前記反応器の一部の温度をシリコンの析出温度範囲に設定しつつ、前記四塩化珪素ガス供給口から四塩化珪素ガスを前記反応器内に供給すると共に、前記亜鉛ガス供給口から亜鉛ガスを前記反応容器内に供給して、前記反応器内で四塩化珪素を亜鉛で還元して、前記反応器内において前記シリコンの析出温度範囲に設定された領域に対応した壁部にシリコンが析出するシリコン析出領域を形成した後に、前記剥離機構が、前記棒部材を前記シリコン析出領域に析出したシリコンに当てながら移動することにより、前記シリコン析出領域に析出したシリコンを剥離するシリコン製造装置。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】
希望譲渡先(国外) 【可】 

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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