透明導電積層体付基板及びその製造方法

開放特許情報番号
L2012003256
開放特許情報登録日
2012/11/12
最新更新日
2015/9/21

基本情報

出願番号 特願2011-551850
出願日 2011/1/25
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 WO2011/093274
公開日 2011/8/4
登録番号 特許第5780550号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 透明導電積層体付基板及びその製造方法
技術分野 電気・電子、機械・加工、金属材料
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 透明導電積層体付基板、並びにその製造方法
目的 インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する透明導電積層体付基板及びその製造方法を提供する。
効果 インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する透明導電積層体付基板及びその製造方法を提供することが可能となる。
透明導電積層体付基板は、プラズマ発光表示素子、液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス表示素子、太陽電池等の透明電極、赤外線吸収反射膜、防曇膜、電磁遮蔽膜等を構成する材料として有用である。また、太陽電池等の透明電極材料として特に有用である。
技術概要
基板の表面上に酸化インジウムを含有する透明導電積層体が形成された透明導電積層体付基板であって、前記透明導電積層体は、酸化インジウム含有量が80〜98質量%である第一の透明導電膜と前記第一の透明導電膜の表面上に積層された酸化インジウムの含有量が45〜75質量%である第二の透明導電膜とを備え、且つ、前記第一の透明導電膜及び前記第二の透明導電膜が酸化インジウム結晶と同等の結晶構造を持つ結晶を有している透明導電積層体付基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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