シリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法

開放特許情報番号
L2012003253
開放特許情報登録日
2012/11/12
最新更新日
2015/3/26

基本情報

出願番号 特願2010-200843
出願日 2010/9/8
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2012-059871
公開日 2012/3/22
登録番号 特許第5686278号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 シリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 シリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法
目的 太陽電池用のシリコン半導体膜を、空気中での塗布膜形成と、その前駆体膜の加熱あるいはレーザー照射により得るための、組成物および塗布型のシリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法を提供する。
効果 空気中で製膜が可能で、製造工程のコストが安価なシリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法を提供することができる。
従来法で必要であった高コストな製造装置を必要とせず、太陽電池の普及において課題となっている製造コストの低減に好適な手法を提供することができる。また、半導体膜の微細パターン形成を行うことができ、微細加工プロセスの簡略化に好適な手法を提供することができる。
太陽電池用半導体膜以外にも、薄膜トランジスタ、フォトトランジスタ等、種々の光電子デバイスへ応用することができる。
技術概要
四塩化ゲルマニウムを出発原料として合成した主鎖骨格が3次元状のGe−Ge結合から成り、側鎖に有機置換基を有するゲルマニウム樹脂が、シリコン粒子の表面を被覆するよう、ゲルマニウム樹脂とシリコン粒子とを混合粉砕し、該混合粉砕物を有機分散媒中で混合した組成物を製膜した後、熱処理やレーザー照射する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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