マイクロ・ナノソリッド利用型半導体洗浄システム

開放特許情報番号
L2012003249
開放特許情報登録日
2012/11/12
最新更新日
2012/11/12

基本情報

出願番号 特願2010-144729
出願日 2010/6/25
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2011-171691
公開日 2011/9/1
発明の名称 マイクロ・ナノソリッド利用型半導体洗浄システム
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 極低温マイクロ・ナノソリッドジェット利用型アッシングレス半導体洗浄法並びに半導体洗浄システム
目的 半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
効果 マイクロ・ナノソリッドのジェット流の慣性力によるはく離作用に加えて、ソリッド噴流の熱流体力学的効果、超高熱流束急冷、さらには、超音波の付加による氷核生成促進とナノ微粒化効果によるレジスト熱収縮効果の相互作用も付加して利用するもので、超高集積半導体の50〜30nm単位の微小洗浄技術と45nm以降の洗浄技術の壁を打破する新型スーパードライ洗浄技術を与える。
技術概要
表面にレジストを有している基体からレジストをはく離・除去する半導体ウエハー洗浄法において、極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体をレジスト洗浄媒体として使用し、該ウエハー表面上のレジストに対して当該極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流を衝突させることを特徴とする半導体ウエハー洗浄法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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