光変調素子および空間光変調器

開放特許情報番号
L2012003177
開放特許情報登録日
2012/11/2
最新更新日
2012/11/2

基本情報

出願番号 特願2008-223067
出願日 2008/9/1
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2010-060586
公開日 2010/3/18
登録番号 特許第5054639号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 光変調素子および空間光変調器
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 スピン注入磁化反転による磁化方向の変化を利用して光の変調を行う光変調素子、およびその光変調素子を用いて空間的に光を変調する空間光変調器
目的 応答速度が速く、画素の微小化による高精細な光変調を可能とするとともに、素子製造プロセスにおける加熱処理による磁化固定層の磁気特性の劣化に起因する動作のばらつきを防止することができる光変調素子、この光変調素子を用いて構成される光変調器を提供する。
効果 本発明の光変調素子は、応答速度が早く、その微小化による高精細な光変調を可能とするとともに、素子製造プロセスにおける加熱処理による磁化固定層の磁気特性の劣化に起因する動作のばらつきを防止することができる。特に、垂直磁気異方性を有する磁化固定層を備える光変調素子では、加熱処理による垂直磁気異方性の劣化に起因する光変調素子の動作のばらつきを防止することができる。
また、本発明の空間光変調器は、応答速度が速く、画素の微小化による高精細な光変調を可能とし、高精細かつ高速応答が可能になる。
技術概要
磁化固定層、非磁性中間層および磁化反転層の順で積層して構成されたスピン注入磁化反転素子部と、前記スピン注入磁化反転素子部を挟む一対の電極とを有し、前記磁化反転層における磁化状態の変化に応じて、前記磁化反転層へ入射した光の偏光面に対してその反射光の偏光面の回転角を変化させる光変調素子であって、前記一対の電極の少なくとも一方の電極がCuで形成され、前記Cuで形成された電極と前記スピン注入磁化反転素子部との間に金属からなる防御層を有し、前記磁化反転層および前記磁化固定層が、垂直磁気異方性を有することを特徴とする光変調素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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