透明導電薄膜、透明導電薄膜の形成方法、及びタッチパネル

開放特許情報番号
L2012002926
開放特許情報登録日
2012/10/10
最新更新日
2014/11/20

基本情報

出願番号 特願2010-134503
出願日 2010/6/11
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2011-258530
公開日 2011/12/22
登録番号 特許第5610430号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 透明導電薄膜、及びタッチパネル
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、検査・検出、その他
適用製品 透明導電薄膜、透明導電薄膜の形成方法、及びタッチパネル
目的 タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜、該透明導電薄膜の形成方法、及び、前記透明導電薄膜を備えたタッチパネルを提供する。
効果 従来のように、透明導電薄膜が各々形成された複数の導電基板を設ける必要がないため、透明導電薄膜の接触不良や、導電基板の間に異物が混入するといった問題が生じ得ず、タッチ位置を正確に検出することができる。
また、複数の導電基板を設ける必要がなくなることで、タッチパネルの製造コストは、小さく抑えられる。
技術概要
透明導電薄膜4は、歪みに対する電気抵抗の変化率が300以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜4は、Zn:Oの組成比が、37.21:62.79から、37.69:62.31の範囲内のZnOから形成される。透明導電薄膜4は、真空チャンバ内に、ガラス基板2と、Znを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、18.0cm↑3/minの流量でアルゴンを導入し、且つ、1.0cm↑3/min以上、2.0cm↑3/min以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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