薄膜製造方法、それを用いた半導体デバイスの製造方法およびそれらに用いられる半導体薄膜部品

開放特許情報番号
L2012002922
開放特許情報登録日
2012/10/10
最新更新日
2015/8/19

基本情報

出願番号 特願2011-176335
出願日 2011/8/11
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2013-041892
公開日 2013/2/28
発明の名称 薄膜製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 薄膜製造方法、それを用いた半導体デバイスの製造方法およびそれらに用いられる半導体薄膜部品
目的 高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
また、高品質な半導体薄膜の製造に用いられる半導体薄膜部品を提供する。
更に、高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
効果 この発明の薄膜製造方法を用いて高品質な半導体薄膜を製造できる。
また、半導体デバイスの製造方法においては、上述した薄膜製造方法を用いて第2の半導体薄膜を製造し、デバイスを作製する。従って、半導体デバイスの特性を向上できる。
更に、半導体薄膜部品においては、高品質な半導体薄膜を製造できる。
この発明は、半導体薄膜の製造方法および半導体デバイスの製造方法に適用される。
技術概要
薄膜製造方法は、a−Si膜等の半導体薄膜を第1の基板上に堆積する工程S1と、第1の基板をエッチングして第1の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程S2と、半導体薄膜に第2の基板を接触させる工程S3と、半導体薄膜に第2の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程S4と、第1の基板を半導体薄膜から引き離す工程S5とを備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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