半導体センサ

開放特許情報番号
L2012002920
開放特許情報登録日
2012/10/10
最新更新日
2015/6/18

基本情報

出願番号 特願2011-155178
出願日 2011/7/13
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2013-019851
公開日 2013/1/31
登録番号 特許第5737655号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 半導体センサ
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 半導体センサ
目的 分解能をより向上させることができる半導体センサを提供する。
効果 センシング領域に付着する検出対象の付着量の変化に対するドレイン電流の変化量を大きくして、分解能を向上させることができる。
イオンなどの電気的極性を有する物質の検出に好適である。特に、水溶液の水素イオンの濃度(pH)の測定、抗体の検出、DNAの検出、特定のガスの検出等に好適である。また、検出対象の物質自体が、電気的極性を有しなくても、その物質に電荷を帯びた物質を付着させて、検出することも可能である。
技術概要
ゲート絶縁膜には、検出対象が付着するセンシング領域が設けられている。チャネル領域6では、複数のクーロンアイランド20が、ワイヤ領域を介して、ソース領域4とドレイン領域5との間で直列に接続されている。ドレイン電流は、室温で、ゲート電圧に対してクーロン振動を起こすようになり、ゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化は急峻となる。これにより、センシング領域に付着する検出対象となるイオンの付着量の変化に対するドレイン電流の変化量を大きくすることができる。複数のクーロンアイランド20を直列に接続すれば、室温動作がより容易となるうえ、希薄感度に対する検出感度を向上することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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