光起電力素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2012002919
開放特許情報登録日
2012/10/10
最新更新日
2015/3/26

基本情報

出願番号 特願2011-118414
出願日 2011/5/26
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2012-248635
公開日 2012/12/13
登録番号 特許第5676363号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 光起電力素子およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、その他
適用製品 光起電力素子およびその製造方法
目的 環境に悪影響を及ぼさない光起電力素子を提供する。
効果 透明基板、透明導電膜、PEDOT:PSS、MEH−PPV、n型シリコンナノ粒子、酸化チタンナノ粒子、およびP3HTを材料として作製される。その結果、光起電力素子は、Pb等の環境に悪影響を与える元素を含まない。従って、環境に悪影響を及ぼすことがない。
技術概要
透明基板と、
前記透明基板に接して配置された透明導電膜と、
前記透明導電膜に接して配置され、ポリスチレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェンからなる正孔輸送層と、
前記正孔輸送層に接して配置され、導電性高分子とn型シリコンナノ粒子とを混合した構造からなる混合層と、
前記混合層に接して配置された電極とを備える光起電力素子。
【請求項2】
透明基板と、
前記透明基板に接して配置された透明導電膜と、
前記透明導電膜に接して配置され、ポリスチレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェンからなる正孔輸送層と、
前記正孔輸送層に接して配置され、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)からなるp型半導体層と、
前記p型半導体層に接して配置され、n型シリコンナノ粒子からなるn型半導体層と、
前記n型半導体層に接して配置された電極とを備える光起電力素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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