可視光応答性半導体光電極の製造方法、並びに可視光応答性半導体光電極及び該電極を用いた水分解反応装置

開放特許情報番号
L2012002886
開放特許情報登録日
2012/10/8
最新更新日
2016/10/20

基本情報

出願番号 特願2012-163422
出願日 2012/7/24
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-022351
公開日 2014/2/3
登録番号 特許第5988092号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 可視光応答性半導体光電極の製造方法、並びに可視光応答性半導体光電極及び該電極を用いた水分解反応装置。
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 可視光応答性半導体光電極の製造方法、並びに可視光応答性半導体光電極及び該電極を用いた水分解反応装置
目的 水分解用の半導体光電極において、簡単な方法で高い可視光吸収および太陽エネルギー変換効率を持つ可視光応答性半導体光電極を提供する。
効果 特に水分解用の半導体光電極において、簡単な方法で高い可視光吸収および太陽エネルギー変換効率を持つ可視光応答性半導体光電極を提供できる。また、本発明の安定化された光電極における手法は、粉末光触媒反応や、光センサー用途の半導体に対しても有効な方法として提供できる。
技術概要
可視光応答性の半導体を調製するための金属イオンを含有した前駆体溶液に、分解温度100度以上の高分子化合物および酸化剤を添加し、酸化剤の分解作用で有機化合物の成分がその分解温度よりも低温で分解しながら多孔質な半導体膜を調製することで高性能な可視光応答性半導体光電極を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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