可視光応答性半導体光電極

開放特許情報番号
L2012002880
開放特許情報登録日
2012/10/8
最新更新日
2016/5/24

基本情報

出願番号 特願2012-152506
出願日 2012/7/6
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-015642
公開日 2014/1/30
登録番号 特許第5904545号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 可視光応答性半導体光電極
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 可視光応答性半導体光電極
目的 半導体材料の光反応中の安定性を向上させ、且つ効率が低下しない、安定化された可視光応答性半導体光電極を提供する。
効果 半導体材料の光反応中の安定性を向上させ、且つ効率が低下しない、安定化した可視光応答性半導体光電極を提供できる。また、本発明の安定化された光電極における手法は、粉末光触媒反応や、光センサー用途の半導体に対しても有効な方法として提供できる。
太陽エネルギーを利用した水素製造に利用でき、水分解用や環境浄化用の粉末光触媒反応や、光センサー用途の半導体に対しても有効な安定化手法を提供できる。
技術概要
構成元素としてBi、V、W、及び酸素を含有してなる可視光応答性の半導体からなる半導体層上に、Nb、Sn、Zr、La、Ti、Bi、Taからなる群から選ばれた1種以上の元素を含む化合物からなる保護膜を被覆することにより、安定化された可視光応答性半導体電極を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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