太陽電池の製造工程における発電性能の予測方法、並びにそれを用いた製造工程における最適化方法及び異常検知方法

開放特許情報番号
L2012002587
開放特許情報登録日
2012/9/13
最新更新日
2016/4/19

基本情報

出願番号 特願2012-141225
出願日 2012/6/22
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-007250
公開日 2014/1/16
登録番号 特許第5892513号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 太陽電池の製造工程における発電性能の予測方法、並びにそれを用いた製造工程における最適化方法及び異常検知方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 薄膜太陽電池の発電性能を予測する予測方法、並びにその予測方法を用いた製造工程における最適化方法及び異常検知方法
目的 製造後の太陽電池の発電性能を予測する太陽電池の製造工程における発電性能の予測方法を提供する。
また、太陽電池の製造工程における最適プロセス条件を求める最適化方法及びプロセス異常を検知する異常検知方法を提供する。
効果 本発明の予測方法によれば、発電層の形成時又は形成後の太陽電池の製造工程の途中で製造後の太陽電池の発電性能を予測することができる。また、本発明の最適化方法によれば、太陽電池の性能向上に向けたプロセス最適化作業を大幅に短縮でき、効率化できる。更に、本発明の異常検知方法によれば、生産ラインにおけるプロセス異常を太陽電池製造終了前に検出することができる。
技術概要
太陽電池モジュール基板(複数の透明電極付)を準備し、その基板上に発電層を形成する(ステップS1)。続いて、この半導体素子(基板)に対して2種類のポンプ光(発電層の禁制帯幅(バンドギャップ)以上及び未満のエネルギーを有する光)を照射する(ステップS2)。続いて、2種類のポンプ光に応答する隣接する透明電極間の電流(I↓(vis)及びI↓(nir))を測定する(ステップS3)。次に、光電流比(I↓(vis)/I↓(nir))を算出する(ステップS4)。そして、この光電流比(I↓(vis)/I↓(nir))から、製造後の太陽電池の曲線因子(FF)と発電効率を予測する(ステップS5)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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