半導体素子の接合方法および接合構造

開放特許情報番号
L2012002586
開放特許情報登録日
2012/9/13
最新更新日
2016/3/23

基本情報

出願番号 特願2013-539671
出願日 2012/10/17
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2013/058291
公開日 2013/4/25
登録番号 特許第5875124号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体素子の接合方法および接合構造
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子の接合方法および接合構造
目的 界面において優れた導電性ならびに透明性を確保しながら半導体素子を接合する方法、およびその接合方法による接合構造を提供する。界面において優れた導電性を確保し、かつ素子特性に有利に働く光学特性の設計が可能な半導体素子の接合方法、およびその接合方法による接合構造を提供する。
効果 本発明の接合方法によれば、導電性ならびに透明性に優れた半導体素子接合構造を得ることができる。特に、異なるバンドギャップを有する複数の太陽電池の積層、多接合化に適用した場合、幅広い太陽光スペクトルを吸収でき、光電変換効率を向上させることができる。さらに、ナノ構造に由来する光学特性を利用し、その光閉じ込め効果によっても光電変換効率を向上させることができる。
技術概要
有機分子で覆われていない導電性ナノ粒子を一方の半導体素子表面に配列し、その上に他方の半導体素子を圧着させることを特徴とする半導体素子の接合方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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