半導体装置

開放特許情報番号
L2012002581
開放特許情報登録日
2012/9/13
最新更新日
2016/10/3

基本情報

出願番号 特願2014-521281
出願日 2013/6/5
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2013/190997
公開日 2013/12/27
登録番号 特許第5907582号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置
目的 パワー半導体装置のアバランシェ降伏による破壊を防ぎ、これにより降伏における耐量を高めたパワー半導体装置を提供すること。
効果 半導体装置の内部に突き抜け降伏機能を持たせることで、降伏の耐量を高めた半導体装置を実現することが出来る。半導体装置の内部に突き抜けの機能を持たせることで、サージ電圧が印加されたとき、早い応答速度で、素子全体において均一に突き抜け降伏を発生させることが出来る。これによって、半導体装置の破壊を防ぐことが出来る。
技術概要
本発明は、半導体装置のアバランシェ降伏による破壊を防ぎ、これにより、降伏の耐量の大きい半導体装置を提供するものであり、
(1)突き抜け降伏による降伏電流を生じさせる半導体構造を有することを特徴とする半導体装置である。
(2)さらに、突き抜け降伏による降伏電圧が、アバランシェ降伏電圧より低いことを特徴とする上述の半導体装置である。
(3)さらに、ユニポーラ型のトランジスタまたはダイオードであることを特徴とする上述の半導体装置である。
(4)さらに、半導体構造の半導体がワイドバンドギャップ半導体で形成されることを特徴とする上述の半導体装置である。
(5)さらに、降伏電流を運ぶキャリアと同じ極性の分極電荷を有するヘテロ接合界面を通過して、前記降伏電流が流れることを特徴とする上述の半導体装置である。
(6)さらに、半導体構造の半導体が六方晶の結晶構造を有し、前記半導体のc軸方向に降伏電流が流れることを特徴とする上述の半導体装置である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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