異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス

開放特許情報番号
L2012002488
開放特許情報登録日
2012/9/6
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2011-002490
出願日 2011/1/7
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2012-146754
公開日 2012/8/2
登録番号 特許第5187705号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、表面処理
適用製品 RIEを用いた異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイス
目的 異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを提供する。
効果 従来の半導体プロセスで一般的に利用されるフォトレジスト(低温で使用可能)をマスクに使用できるため、所望する基板(デバイス)の特性を変化させることなく、エッチング工程を簡素化できる。
従来よりも容易且つ迅速に、所定形状の貫通孔を形成することが可能となる。
技術概要
表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、SF↓6とC↓4F↓8とを含む混合ガス、又は、SF↓6とC↓4F↓8とO↓2とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有していることを特徴とする異方性エッチング方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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