半導体装置

開放特許情報番号
L2012002309
開放特許情報登録日
2012/8/8
最新更新日
2016/10/3

基本情報

出願番号 特願2014-518346
出願日 2013/4/23
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2013/179820
公開日 2013/12/5
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 炭化珪素基板を用いて電力変換用半導体スイッチング装置を低オン抵抗かつ高耐圧化した炭化珪素半導体装置
目的 炭化珪素を基板材料としたトレンチゲート型MOSFETのスーパージャンクション構造において、ゲート酸化膜を高電界から保護する構造を提供する。
効果 スーパージャンクションを構成するp型ピラー層の上部層がn型ピラーとの接点で高濃度であるため、阻止状態においてp型ピラー上層部に隣接するn型ピラー層が下部よりも低電圧で空乏化することができ、且つp型ピラー層の上部層とn型ピラーとの接点がトレンチゲート酸化膜よりも下方まで存在するため、ゲート酸化膜を空乏層により囲み、高電界から遮蔽することができ、酸化膜の絶縁破壊による素子破壊が抑制され、高い耐圧が得られる。
技術概要
炭化珪素基板上の第1の導電型のドリフト層と、その上に積層した第2の導電型のベース層と、ベース層の表面部の所定領域に形成された第1導電型のソース領域と、ソース領域とベース領域を貫通するように形成したトレンチ溝と、トレンチ溝内の少なくとも一部にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、ドリフト層内にベース層と接するように形成した第2導電型のピラー層からなるスーパージャンクション層を備え、前記第2導電型のピラー層はベース層に接する上部層とその下の下部層に分かれており、上部層の不純物濃度が下部層の不純物濃度よりも高く、前記第2導電型のピラー層の上部層と下部層の界面および前記界面と第1の導電型ピラー層との接点がトレンチ溝の底部よりも下方に位置することを特徴とする半導体装置を提供する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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