ナノ結晶磁性体の製造方法

開放特許情報番号
L2012002298
開放特許情報登録日
2012/8/8
最新更新日
2016/6/21

基本情報

出願番号 特願2012-114075
出願日 2012/5/18
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-243185
公開日 2013/12/5
登録番号 特許第5924675号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ナノ結晶磁性体の製造方法
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 ナノ結晶磁性体の製造方法
目的 ナノ磁性粒子の有する磁気特性を損なうことなく、残留応力の発生による磁気特性の低下をなくし、簡便な手法で優れた特性を有するナノ結晶磁性体の製造方法を提供する。
効果 ナノ磁性粒子の有する特有の磁気特性を損なうことなく、残留応力の発生による磁気特性の低下をなくし、簡便な手法で優れた特性を有するナノ結晶磁性体を製造することが可能となる。
また、本発明は、磁石、鉄心などの磁性材料の製造方法として利用される。
技術概要
平均粒径10〜100nmのナノ結晶磁性粒子の表面に、ガラスよりなる電気的絶縁層をコーティングした後、ガラス転移温度より低い温度で加圧成形することにより、ナノ結晶磁性粒子を緻密化するとともに、ナノ結晶磁性粒子間に電気的絶縁層を均一に介在させることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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