出願番号 |
特願2010-029240 |
出願日 |
2010/2/12 |
出願人 |
国立大学法人 千葉大学、国立大学法人北海道大学 |
公開番号 |
特開2010-247230 |
公開日 |
2010/11/4 |
登録番号 |
特許第5531261号 |
特許権者 |
国立大学法人 千葉大学、国立大学法人北海道大学 |
発明の名称 |
レーザー加工方法、円偏光光渦レーザービームを用いたレーザー加工方法、針状体を有する部材の製造方法、および針状体を有する部材 |
技術分野 |
機械・加工、電気・電子 |
機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、表面処理 |
適用製品 |
光渦レーザービームを用いたレーザー加工方法、円偏光光渦レーザービームを用いたレーザー加工方法、針状体を有する部材の製造方法、および針状体を有する部材 |
目的 |
アブレーション加工により加工表面に昇華しきれず残ったデブリのクリーニングをアブレーション加工と同時に行うことが可能であり、被加工物にHAZを生じることがないレーザー加工方法を提供する。 |
効果 |
アブレーション加工により加工表面に昇華しきれず残ったデブリのクリーニングをアブレーション加工と同時に行うことが可能であり、被加工物にHAZを生じることがない。
本発明の円偏光光渦レーザービームを用いたレーザー加工方法によると、デブリのクリーニングをしつつ、全体のアスペクト比0.07〜0.4の針状体を容易に形成することができる。
本発明の針状体を有する部材は、走査電子顕微鏡(SEM)、電界放射顕微鏡(FEM)等の探針、エミッションディスプレイの針状電極等に有用である。 |
技術概要
 |
レーザービームを用いて被加工物に対してアブレーション加工を行うレーザー加工方法において、レーザービームが光渦レーザービームのパルス光であり、該パルス光のパルス幅が10ピコ秒以上100ナノ秒以下であるレーザー加工方法;レーザービームを用いて被加工物に対してアブレーション加工を行うレーザー加工方法において、レーザービームが、円偏光の回転方向と光渦レーザービームの回転方向が同一である円偏光光渦レーザービームのパルス光であり、該パルス光のパルス幅が10ピコ秒以上100ナノ秒以下である円偏光光渦レーザービームを用いたレーザー加工方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【可】
|
特許権実施許諾 |
【可】
|