酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器

開放特許情報番号
L2012002024
開放特許情報登録日
2012/7/12
最新更新日
2012/7/12

基本情報

出願番号 特願2011-274353
出願日 2011/12/15
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2012-102403
公開日 2012/5/31
発明の名称 酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器
技術分野 電気・電子、情報・通信、金属材料
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 フラットパネルディスプレイやタッチパネルなどに使用される透明導電膜及びその成膜に使用するマグネトロンスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット
目的 低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用酸化物焼結体を提供する。
効果 特にLCDに好適な、約200nm未満の極めて薄い領域において、低抵抗率で且つ膜厚依存性の少ない良好な酸化亜鉛を母材とする透明導電膜及びその製造用焼結体が提供可能となる。
技術概要
実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムがGa/(Zn+Ga+Sn)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、且つスズがSn/(Zn+Ga+Sn)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、ガリウムがドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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