平面型SQUIDセンサ

開放特許情報番号
L2012002023
開放特許情報登録日
2012/7/12
最新更新日
2012/9/24

基本情報

出願番号 特願2006-223724
出願日 2006/8/21
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2008-047784
公開日 2008/2/28
登録番号 特許第5051506号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 平面型SQUIDセンサ
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 平面型SQUIDセンサ
目的 サーマルサイクルや熱膨張の違いによる破損がなく且つ外部接続用ケーブルを半田付けで接続することが出来る平面型SQUIDセンサを提供する。
効果 本発明の平面型SQUIDセンサは、脳磁や心磁の測定に利用できる。
サーマルサイクルや熱膨張の違いによる破損がなく且つ外部接続用ケーブルを半田付けで接続することが出来る。
スパッタリングのプロセスに耐えられる。サーマルサイクルによる破損がない。モールド材とポリイミド基板(1)の熱膨張の違いによって割れることもない。外部接続用ケーブルを半田付けで接続することが出来る。ヒータ抵抗を半田付けでマウントできる。
技術概要
外部接続半田付け用銅端子(2)、検出コイルパッド用銅端子(3)およびヒータ抵抗半田付け用銅端子(2a)を積層したポリイミド基板(1)の表面にNb薄膜検出コイル(4)をスパッタリングにより形成し、SQUIDチップ(5)をマウントし、超伝導ボンディング(6)およびAlボンディング(7)により接続する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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