センサ及びセンサの製造方法

開放特許情報番号
L2012002019
開放特許情報登録日
2012/7/19
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2010-094012
出願日 2010/4/15
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 特開2011-226800
公開日 2011/11/10
登録番号 特許第5339377号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 センサ及びセンサの製造方法
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 センサ及びセンサの製造方法
目的 製造コストが低いと共に、センサの特性のばらつきを抑制しながら、センサの感度を向上させることが可能なセンサ及び、このようなセンサの製造方法を提供することを目的とする。
効果 製造コストが低いと共に、センサの特性のばらつきを抑制しながら、センサの感度を向上させることが可能なセンサ、及び、このようなセンサの製造方法が提供される。
技術概要
本発明に係るセンサ1は、半導体基板3と、半導体基板3上に設けられた半導体領域5と、半導体領域5の上面に設けられたソース電極7及びドレイン電極9と、半導体基板3の裏面3b上に設けられたバックゲート電極11とを備え、半導体基板3と半導体領域5とはpn接合Jを構成し、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5eには、複数の孔部15が形成されており、複数の孔部15は、それぞれ、半導体領域5の上面5uから半導体基板3に向かって延びると共に、半導体基板3には至っておらず、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5e及び複数の孔部15の側面15sは、オープンゲート5gを構成していることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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