プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル

開放特許情報番号
L2012002014
開放特許情報登録日
2012/7/19
最新更新日
2013/11/29

基本情報

出願番号 特願2009-063776
出願日 2009/3/17
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 特開2010-218859
公開日 2010/9/30
登録番号 特許第5366131号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル
技術分野 電気・電子、情報・通信、金属材料
機能 制御・ソフトウェア、その他
適用製品 プロトン伝導性膜およびその製造方法、並びに電気化学セル
目的 200℃程度でも高いプロトン伝導性を有し、厚さを数十〜数百nmの範囲にすることができ、かつこの範囲の厚みであってもガスリークがないアモルファス酸化膜、及びこれを用いた電気化学セルを提供する。
効果 欠陥のない酸化膜を作製する上で有利となる。また、酸化膜生成初期にピンホール等の欠陥があっても優先的に修復されるため、ガスリークのない膜を得やすい。さらに、任意の膜厚の酸化膜を容易に作製できる。さらに、高いプロトン伝導性が実現できる。
技術概要
アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示すプロトン伝導性膜であり、タングステン系合金の部材の少なくとも一部をアノード酸化して、アノード酸化用の電解液と接する表面にアモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物層を形成し、形成した酸化物層からプロトン伝導性膜が製造される。さらに、プロトン伝導性電解質として、上記のプロトン伝導性膜を用い、アノード、カソードと積層することにより電気化学セルを構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT