シリコンナノワイヤーの製造方法

開放特許情報番号
L2012001775
開放特許情報登録日
2012/6/18
最新更新日
2014/5/27

基本情報

出願番号 特願2010-185131
出願日 2010/8/20
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2012-041235
公開日 2012/3/1
登録番号 特許第5499406号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 シリコンナノワイヤーの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 シリコンナノワイヤーの製造方法、詳しくは、太陽電池の光起電力の電力素子、リチウム電池の負極材料などに有用なシリコンナノワイヤーの製造方法
目的 太陽電池の光起電力の電力素子をはじめ、充放電による膨張と収縮を繰り返し受けた場合であっても粉末化しがたいことからリチウム電池の負極材料などに有用である、アルミニウムの混入がない高純度を有するシリコンナノワイヤーを低温で製造することができるシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。
効果 アルミニウムの混入がなく、高純度を有するシリコンナノワイヤーを低温で製造することができる。本発明の製造方法によって得られたシリコンナノワイヤーは、例えば、太陽電池の光起電力の電力素子、リチウム電池の負極材料などに好適に用いることができる。
技術概要
不活性ガス雰囲気中で亜鉛の存在下で四塩化ケイ素を450〜600℃の温度に加熱することを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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