不揮発性化合物の除去方法及び該方法により製造された電子デバイス

開放特許情報番号
L2012001745
開放特許情報登録日
2012/6/12
最新更新日
2016/11/25

基本情報

出願番号 特願2012-057543
出願日 2012/3/14
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-191762
公開日 2013/9/26
登録番号 特許第6004420号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 不揮発性化合物の除去方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 不揮発性化合物を除去する方法、及び該方法により製造された電子デバイス
目的 ドライエッチング工程により生じたエッチング停止層上の残留物を除去する方法を実現する。
また、低コストで電気特性の優れた薄膜トランジスタ等の電子デバイスを提供する。
効果 エッチングストップ層に不揮発性化合物を残留させることなくインジウムを含む化合物等をドライエッチングすることができ、堆積物が原因となる電子デバイスの特性不良を防ぐことができる。
従来よりも下地エッチングストップ層にダメージを与えることがなく、また、エッチングチャンバーの汚染がはるかに少ない。
酸などによる加工表面の腐食によるダメージが生じず、電子デバイスの製造工程をオールドライプロセスで行うことが可能となる。
本発明の製造方法により得られる薄膜トランジスタは、低コストで、電界移動度等の電気特性が優れている。
技術概要
インジウムを含む化合物などを、炭化水素等を含む混合ガスによりドライエッチングし、その際に生成した、ドライエッチング停止層上に堆積した不揮発性化合物を、炭化水素ガスとハロゲンガスを含まない、水素ガスを用いた第2のドライエッチングによって除去する。水素ガスに加えて希ガスを含んでもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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