二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法

開放特許情報番号
L2012001740
開放特許情報登録日
2012/6/12
最新更新日
2015/11/23

基本情報

出願番号 特願2012-062042
出願日 2012/3/19
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-193983
公開日 2013/9/30
登録番号 特許第5812290号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法
技術分野 有機材料、機械・加工、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法
目的 二酸化炭素の水素化によるギ酸の製造、ギ酸の脱水素化による水素の製造、水素の貯蔵および製造を高効率・高エネルギー効率で行うことのできる触媒を提供する。
効果 本発明の単核イリジウム錯体、その異性体または塩を触媒として用いれば、高効率・高エネルギー効率で、二酸化炭素の水素化によるギ酸の製造、ギ酸の脱水素化による一酸化炭素フリーの水素ガス製造が提供可能である。また、本発明のギ酸の製造および脱水素化方法を用いれば、二酸化炭素を水素貯蔵材料として、輸送・貯蔵に適した液体燃料であるギ酸に変換し、再びギ酸から容易に水素を再生することが可能である。
さらに、本発明の単核イリジウム錯体は、大幅な低コスト化が可能であるにも拘わらず、画期的に優れた触媒性能を有している。
技術概要
式(1)(下記、イメージ図参照)で表される単核金属錯体。

式(1)において、Q↑1〜Q↑4は窒素であるか、または窒素と炭素であり、X↑1〜X↑4はヒドロキシ基、等であり、R↑1〜R↑9は水素原子、アルキル基等であり、Yは任意の配位子であるか、または存在せず、mは正の整数、0、または負の整数である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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