| 出願番号 |
特願2012-062042 |
| 出願日 |
2012/3/19 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2013-193983 |
| 公開日 |
2013/9/30 |
| 登録番号 |
特許第5812290号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法 |
| 技術分野 |
有機材料、機械・加工、化学・薬品 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法 |
| 目的 |
二酸化炭素の水素化によるギ酸の製造、ギ酸の脱水素化による水素の製造、水素の貯蔵および製造を高効率・高エネルギー効率で行うことのできる触媒を提供する。 |
| 効果 |
本発明の単核イリジウム錯体、その異性体または塩を触媒として用いれば、高効率・高エネルギー効率で、二酸化炭素の水素化によるギ酸の製造、ギ酸の脱水素化による一酸化炭素フリーの水素ガス製造が提供可能である。また、本発明のギ酸の製造および脱水素化方法を用いれば、二酸化炭素を水素貯蔵材料として、輸送・貯蔵に適した液体燃料であるギ酸に変換し、再びギ酸から容易に水素を再生することが可能である。
さらに、本発明の単核イリジウム錯体は、大幅な低コスト化が可能であるにも拘わらず、画期的に優れた触媒性能を有している。 |
技術概要
 |
式（１）（下記、イメージ図参照）で表される単核金属錯体。
式（１）において、Q↑1〜Q↑4は窒素であるか、または窒素と炭素であり、X↑1〜X↑4はヒドロキシ基、等であり、R↑1〜R↑9は水素原子、アルキル基等であり、Yは任意の配位子であるか、または存在せず、mは正の整数、０、または負の整数である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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