高温超電導酸化物薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する方法

開放特許情報番号
L2012001727
開放特許情報登録日
2012/6/12
最新更新日
2016/4/19

基本情報

出願番号 特願2012-051518
出願日 2012/3/8
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-199235
公開日 2012/10/18
登録番号 特許第5881107号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高温超電導酸化物薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 高温超電導酸化物薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する方法
目的 (RE)BCO薄膜において、制御された結晶欠陥を導入する簡便な方法を提供する。
効果 (RE)BCO薄膜中にピン止めを導入することに成功した。これにより、高い臨界面電流を有する(RE)BCO薄膜を作製することができる。従来の重イオン照射より簡略な方法であり、かつ、人工ピンの分布や密度を正確に制御して薄膜中に導入することを可能である。また、多孔質アルミナ自立膜が破壊されるまで何回も利用ができ、効率的な方法である。
技術概要
基板上に成膜された一般式(RE)Ba↓2Cu↓3O↓7(式中、REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybから選ばれる1種の原子を表す。)で表される希土類酸化物を主成分とする高温超電導酸化物薄膜の上に、多孔質アルミナ自立膜を載置し、該アルミナ膜をマスクとしてアルゴンイオンミリングを行うことにより、前記高温超電導薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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