半導体のコンタクト構造及び形成方法

開放特許情報番号
L2012001725
開放特許情報登録日
2012/6/12
最新更新日
2017/1/25

基本情報

出願番号 特願2014-503769
出願日 2013/2/25
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2013/133060
公開日 2013/9/12
登録番号 特許第6044907号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体コンタクト構造及びその形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体コンタクト構造及びその形成方法
目的 半導体基板に対して良好なオーミックあるいは整流性の接合を与えることができる半導体コンタクト構造及びその形成方法を提供する。
効果 半導体基板表面に、遷移金属内包SiクラスターMSi↓nを単位構造とした原子層シリサイド半導体を形成し、MSi↓nの性質を利用することで、半導体基板に対して良好なオーミックあるいは整流性の接合を与えることができる半導体コンタクト構造を得ることができる。
技術概要
遷移金属Mとシリコンの組成比が、1:n(7≦n≦16)の範囲の金属珪素化合物薄膜を半導体基板表面上に作製することを特徴とする半導体コンタクト構造及びその作成方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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