シリコン細線光導波路の加工方法

開放特許情報番号
L2012001596
開放特許情報登録日
2012/5/18
最新更新日
2015/10/20

基本情報

出願番号 特願2012-041314
出願日 2012/2/28
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-178333
公開日 2013/9/9
登録番号 特許第5794574号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 シリコン細線光導波路の加工方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン細線光導波路の加工方法
目的 シリコン細線光導波路の上下を酸化膜等で挟み込むことを必要とすることなく、セルフアライメント的かつ立体的に湾曲したシリコン細線光導波路を得ることができる加工方法を提供する。
効果 (1)シリコン細線自体の内部ひずみ応力を利用しているため、上下の酸化膜が不要である。
(2)イオンビームの打ち込み方向や照射量を調節することにより、湾曲曲率を調節できる。
(3)曲率半径5μm以下の急峻な湾曲も可能である。したがって、素子を小型化できる。
(4)イオン打ち込み方向にセルフアライメント的に湾曲先端部を伸長させることができる。
(5)低温プロセスで加工可能であり、高温処理で破壊されてしまう光回路への適用が可能となる。
技術概要
支持層を介して複数のシリコン細線光導波路が形成された光回路基板を用意するステップと、シリコン細線光導波路のうち末端部を有する所望のシリコン細線光導波路に対して、該シリコン細線光導波路の末端部及びこれに隣接する部位の下の支持層を除去するステップと、該シリコン細線光導波路の末端部及びこれに隣接する部位に対して特定の方向からイオンを打ち込むことにより、該特定の方向にセルフアライメント的にシリコン細線光導波路の末端部及びこれに隣接する部位を湾曲させるステップとを備えたシリコン細線光導波路の加工方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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