目的
シリコン細線光導波路の上下を酸化膜等で挟み込むことを必要とすることなく、セルフアライメント的かつ立体的に湾曲したシリコン細線光導波路を得ることができる加工方法を提供する。
効果
（１）シリコン細線自体の内部ひずみ応力を利用しているため、上下の酸化膜が不要である。
（２）イオンビームの打ち込み方向や照射量を調節することにより、湾曲曲率を調節できる。
（３）曲率半径５μｍ以下の急峻な湾曲も可能である。したがって、素子を小型化できる。
（４）イオン打ち込み方向にセルフアライメント的に湾曲先端部を伸長させることができる。
（５）低温プロセスで加工可能であり、高温処理で破壊されてしまう光回路への適用が可能となる。
技術概要
支持層を介して複数のシリコン細線光導波路が形成された光回路基板を用意するステップと、シリコン細線光導波路のうち末端部を有する所望のシリコン細線光導波路に対して、該シリコン細線光導波路の末端部及びこれに隣接する部位の下の支持層を除去するステップと、該シリコン細線光導波路の末端部及びこれに隣接する部位に対して特定の方向からイオンを打ち込むことにより、該特定の方向にセルフアライメント的にシリコン細線光導波路の末端部及びこれに隣接する部位を湾曲させるステップとを備えたシリコン細線光導波路の加工方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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